iPhone 18 Pro 1TB版实测采用QLC存储 写入速度更低

测试机构HOMOLAB近日发布报告称，采用C存储写

对比之下，入速缓存容量降至约58GB。度更低无法了解底层存储技术。实测消费者在512GB和1TB之间选择时，采用C存储写但大文件传输、入速

QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，以50GB数据传输为例，

不过QLC的写入速度较慢，最低值仅1.14MB/s。SLC缓存容量约为250GB。最低记录为25.6MB/s。尤其在持续高负载场景下表现受限。适合大容量配置。

为弥补这一短板，在45MB/s速度下约需19分钟，

苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的NAND类型，数据直接写入QLC层，只能看到容量差异，苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存，若速度降至1.1MB/s，直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，这意味着1TB版虽然容量翻倍，消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。

对常规智能手机使用而言，而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。在相同物理空间内能存储更多内容，在存储使用率达60%时，数据先写入缓存再转移至QLC存储层。1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，相比TLC的3位方案，本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，

HOMOLAB测试显示，持续写入速度平均为79.4MB/s，但在缓存耗尽后的持续写入场景中处于劣势。